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5MHzto1000MHz,Push-Pull,HighLinearityInGaPHBTAmplifier | QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司 | QORVO | ||
5MHzto1000MHz,Push-Pull,HighLinearityInGaPHBTAmplifier | QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司 | QORVO | ||
N-ChannelPowerMOSFETHigh-SpeedSwitchingUse | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
N-ChannelPowerMOSFETHigh-SpeedSwitchingUse | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
N-ChannelPowerMOSFETHigh-SpeedSwitchingUse | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
10,15,25,35AFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●FastSwitching,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V | WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司 | WTE | ||
10,15,25,35AFASTRECOVERYSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER | WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司 | WTE | ||
10,15,25,35AFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●FastSwitching,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V | WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司 | WTE | ||
10,15,25,35AFASTRECOVERYSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER | WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司 | WTE |
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