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RF9G120BJFRA	文件：3.57856 Mbytes Page：14 Pages	丝印：TC；Package：DFN2020Y7LSAA；Pch -40V -12A Power MOSFET Features 1) AEC-Q101 qualified 2) Low on - resistance 3) High power small mold package 4) Pb-free plating ; RoHS compliant 5) Halogen Free 6) WettableFlank Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：3.57856 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RF9G120BJFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive RF9G120BJFRA is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body. • AEC-Q101 qualified\n• Low on - resistance\n• High power small mold package\n• Pb-free plating; RoHS compliant\n• Halogen Free\n• WettableFlank;	ROHM 罗姆	ROHM
RF9G120BKFRA	文件：3.52925 Mbytes Page：14 Pages	Nch 40V 12A Power MOSFET Features 1) AEC-Q101 qualified 2) Low on - resistance 3) High power small mold package 4) Pb-free plating ; RoHS compliant 5) Halogen Free 6) WettableFlank Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：3.52925 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFANT8010080A3T	文件：0 bytes Page：0 Pages	8x1x0.8	WALSIN 华新科技上传：深圳市华康联电子科技有限公司	WALSIN
RFBLN2012090BM5T25	文件：0 bytes Page：0 Pages	MSD	WALSIN 华新科技上传：深圳市力拓辉电子有限公司	WALSIN

技术参数

封装：
DFN2020Y7LSAA
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Number of terminal：
7
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-40
Drain Current ID[A]：
-12
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.048
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.048
Total gate charge Qg[nC]：
7.8
Power Dissipation (PD)[W]：
23
Drive Voltage[V]：
-4.5
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2 (t=0.65)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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