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RF4E110GN	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.5V驱动型 Nch MOSFET 场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。 • Low on - resistance.\n• High Power Small Mold Package (HUML2020L8).\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free;	ROHM 罗姆	ROHM
RF4E110GN	文件：2.45568 Mbytes Page：12 Pages	Nch 30V 11A Middle Power MOSFET 文件：2.45568 Mbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TPD4E110	文件：9.50915 Mbytes Page：21 Pages	4 Channel Protection Solution for Super-Speed (Up to 6 GBPS) Interface 文件：9.50915 Mbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
TPD4E110	文件：8.74026 Mbytes Page：19 Pages	4 Channel Protection Solution for Super-Speed (Up to 6 GBPS) Interface 文件：8.74026 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
TPD4E110DPWR	文件：9.50915 Mbytes Page：21 Pages	4 Channel Protection Solution for Super-Speed (Up to 6 GBPS) Interface 文件：9.50915 Mbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

封装：
HUML2020L8 (Single)
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
DFN2020-8S
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
11
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0117
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0117
Total gate charge Qg[nC]：
3.5
Power Dissipation (PD)[W]：
2
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2 (t=0.65)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RF4E110GN供应商更新时间2026-4-19 14:00:00

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