RF4E110BN数据手册ROHM中文资料规格书
RF4E110BN规格书详情
描述 Description
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。
特性 Features
• Low on - resistance.
• High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Halogen Free
技术参数
- 制造商编号
：RF4E110BN
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：HUML2020L8 (Single)
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：DFN2020-8S
- Applications
：Switching
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：30
- Drain Current ID[A]
：11
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.0118
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.0085
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.0118
- Total gate charge Qg[nC]
：12
- Power Dissipation (PD)[W]
：2
- Drive Voltage[V]
：4.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Bare Die Part Number
：Available: K4020
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：2x2 (t=0.65)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
DFN |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
21+ |
DFN2020-8S |
11240 |
询价 | |||
ROHM |
1844+ |
DFN2020-8 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ROHM |
23+ |
HUML2020L8 |
39000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ROHM |
23+ |
NA |
256 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
DFN2020-8S |
66500 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
DFN2020-8S |
100 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2223+ |
DFN2020-8S |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
DFN2020-8S |
20300 |
ROHM/罗姆原装特价RF4E110BN即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
DFN2020-8S |
21000 |
一级代理进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 |
