RF4E110BN中文资料4.5V驱动型 Nch MOSFET数据手册ROHM规格书
RF4E110BN规格书详情
描述 Description
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。
特性 Features
• Low on - resistance.
• High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Halogen Free
技术参数
- 制造商编号
：RF4E110BN
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：HUML2020L8 (Single)
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：DFN2020-8S
- Applications
：Switching
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：30
- Drain Current ID[A]
：11
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.0118
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.0085
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.0118
- Total gate charge Qg[nC]
：12
- Power Dissipation (PD)[W]
：2
- Drive Voltage[V]
：4.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Bare Die Part Number
：Available: K4020
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：2x2 (t=0.65)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
25+ |
DFN2020-8S |
20300 |
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ROHM/罗姆 |
21+ |
DFN20208S |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
DFN2*2 |
60000 |
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ROHM |
23+ |
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50000 |
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ROHM |
21+ |
DFN2020-8S |
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ROHM/罗姆 |
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DFN2020-8S |
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ROHM/罗姆 |
21+ |
DFN2020-8S |
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罗姆 |
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原厂原包装 |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
DFN2020-8S |
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ROHM(罗姆) |
24+ |
HUML2020L8 |
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