RF4E070BN数据手册ROHM中文资料规格书
RF4E070BN规格书详情
描述 Description
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。
特性 Features
• Low on - resistance.
• High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Halogen Free
技术参数
- 制造商编号
:RF4E070BN
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:HUML2020L8 (Single)
- 包装数量
:3000
- 最小独立包装数量
:3000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Package Code
:DFN2020-8S
- Applications
:Switching
- Number of terminal
:8
- Polarity
:Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
:30
- Drain Current ID[A]
:7
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
:0.0308
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
:0.022
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
:0.0308
- Total gate charge Qg[nC]
:4.6
- Power Dissipation (PD)[W]
:2
- Drive Voltage[V]
:4.5
- Mounting Style
:Surface mount
- Bare Die Part Number
:Available: K4009
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:2x2 (t=0.65)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
22+ |
DFN |
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DFN20208S |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
DFN2020-8S |
60000 |
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