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RF4E070GN

4.5V驱动型 Nch MOSFET

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。; • Low on - resistance.\n• High Power Small Mold Package (HUML2020L8).\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free;

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

RF4E070GN

Nch 30V 7A Middle Power MOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

RF4E070BN

Nch30V7AMiddlePowerMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

RF5110GTR7

QORVO
原厂原封

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

上传:深圳科宇泰科技有限公司

QORVO

RF5110GTR7

RFMD
QFN-16

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

RFMD

技术参数

  • 封装:

    HUML2020L8 (Single)

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    DFN2020-8S

  • Applications:

    Power Supply

  • Number of terminal:

    8

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    30

  • Drain Current ID[A]:

    7

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.023

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.0164

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.023

  • Total gate charge Qg[nC]:

    2.2

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    2

  • Drive Voltage[V]:

    4.5

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Bare Die Part Number:

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2x2 (t=0.65)

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