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SMZJ3808	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE ZenerVoltage-10to68VoltsSteadyStatePower-1.5Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountapplications ♦Glasspassivatedchipjunction ♦LowZenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Hightemperaturesoldering	GE GE Industrial Company	GE
SMZJ3808A	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE ZenerVoltage-10to68VoltsSteadyStatePower-1.5Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountapplications ♦Glasspassivatedchipjunction ♦LowZenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Hightemperaturesoldering	GE GE Industrial Company	GE
SMZJ3808A	文件：104.28 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPowerVoltage-RegulatingDiodes FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •LowZenerimpedance •Lowregulationfactor •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/9	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SMZJ3808A	文件：595.2 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
SMZJ3808B	文件：595.2 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
SMZJ3808B	文件：104.28 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPowerVoltage-RegulatingDiodes FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •LowZenerimpedance •Lowregulationfactor •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/9	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SMZJ3808B	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE ZenerVoltage-10to68VoltsSteadyStatePower-1.5Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountapplications ♦Glasspassivatedchipjunction ♦LowZenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Hightemperaturesoldering	GE GE Industrial Company	GE
SMZJ3808B	文件：522.313 Kbytes Page：2 Pages	1.5W62VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SMZJ3808B	文件：1.178857 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SMZJ3808B	文件：107.11 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPowerVoltage-RegulatingDiodes FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •LowZenerimpedance •Lowregulationfactor •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/9	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SMZJ3808B	文件：106.86 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPowerVoltage-RegulatingDiodes FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •LowZenerimpedance •Lowregulationfactor •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/9	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SMZJ3808B	文件：515.539 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
STT3808NE	文件：753.28 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
STT3808NE	文件：521.809 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPS3808	文件：1.05923 Mbytes Page：32 Pages	Low-Quiescent-Current,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TPS3808	文件：1.06798 Mbytes Page：32 Pages	Low-Quiescent-Current,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TPS3808	文件：545.35 Kbytes Page：21 Pages	LowQuiescentCurrent,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS3808	文件：1.20682 Mbytes Page：158 Pages	DigitalSignalController(DSC)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS3808	文件：417.16 Kbytes Page：15 Pages	LowQuiescentCurrent,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS3808	文件：486.2 Kbytes Page：18 Pages	LowQuiescentCurrent,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
RF3808S
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	RF3808S	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	RF3809	RFMD	2017+	SOP8	23569	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	RF3809	RFMD	13+	SOP	2300	特价热销现货库存	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	RF3809	RFMD	2016+	SOP-8	6528	只做进口原装现货!或者订货,假一赔十!	询价
深圳市博浩通科技有限公司	RF3809	RFMD	23+	SOP	7780	全新原装优势	询价
深圳美顺电子科技有限公司	RF3809	RFMD	15+	SOP-8	5000	原厂直销	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	RF3809	RFMD	23+	SOIC-8	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	RF3809	RFMD	1728+	SOP	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市英科美电子有限公司	RF3809	RF	2021+	N/A	6800	只有原装正品	询价
上海专毅电子科技有限公司	RF3809	RFMD	17+	SOP	9800	只做全新进口原装,现货库存	询价

更多RF3808S供应商更新时间2024-5-21 9:02:00

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