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SMZJ3808B	文件：515.539 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
STT3808NE	文件：753.28 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STT3808NE	文件：521.809 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPS3808	文件：1.20682 Mbytes Page：158 Pages	DigitalSignalController(DSC)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS3808	文件：545.35 Kbytes Page：21 Pages	LowQuiescentCurrent,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS3808	文件：689.59 Kbytes Page：20 Pages	LowQuiescentCurrent,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS3808	文件：486.2 Kbytes Page：18 Pages	LowQuiescentCurrent,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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TPS3808	文件：1.06798 Mbytes Page：32 Pages	Low-Quiescent-Current,Programmable-DelaySupervisoryCircuit	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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详细参数

型号：
RF3808S
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A)

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更多RF3808S供应商更新时间2025-5-17 9:02:00

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