RF2L16180CB4 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 STMICROELECTRONICS/意法半导体

RF2L16180CB4参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:RF2L16180CB4品牌:STMicroelectronics

本公司只做原装正品,优势供货渠道!量大可订!

RF2L16180CB4是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商STMicroelectronics生产封装SMD/B4E的RF2L16180CB4晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    RF2L16180CB4

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情

  • 厂商全称:

    STMicroelectronics

  • 中文名称:

    意法半导体(ST)集团

  • 内容页数:

    12 页

  • 文件大小:

    2493.27 kb

  • 资料说明:

    180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    RF2L16180CB4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.6GHz

  • 增益:

    14dB

  • 额定电流(安培):

    1µA

  • 功率 - 输出:

    180W

  • 封装/外壳:

    B4E

  • 供应商器件封装:

    B4E

  • 描述:

    180 W, 28 V, 1.3 TO 1.6 GHZ RF P

供应商

  • 企业:

    深圳市吉铭电子科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    廖小姐

  • 手机:

    13310877445

  • 询价:
  • 电话:

    3244201807

  • 地址:

    深圳市福田区深南中路3031号汉国中心1303