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RF2L15200CB4中文资料200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor数据手册ST规格书
RF2L15200CB4规格书详情
描述 Description
The RF2L15200CB4 is a 200 W LDMOS FET, designed for wideband communication and ISM applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB, B or C for all typical modulation formats.
特性 Features
• High efficiency and linear gain operations
• Integrated ESD protection
• Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation
• Excellent thermal stability, low HCI drift
• In compliance with the european directive 2002/95/EC
技术参数
- 制造商编号
：RF2L15200CB4
- 生产厂家
：ST
- Package
：LBB
- Marketing Status
：Active
- Grade
：Industrial
- Frequency_nom(MHz)
：860
- Output Power_nom(W)
：200
- Power Gain_nom(dB)
：17.5
- Transistor Supply Voltage_nom(V)
：28
- Efficiency_nom(%)
：72
- R_th(J-C)_max
：0.35
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
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ROHM |
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ROHM |
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ROHM |
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ROHM |
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20000 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM / 半导体 |
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ROHM/罗姆 |
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