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RF2162	文件：218.02 Kbytes Page：10 Pages	3V 900MHZ LINEAR AMPLIFIER Product Description The RF2162 is a high-power, high-efficiency linear amplifier IC targeting 3V handheld systems. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Hetero junction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in dual-mode 3V C 文件：218.02 Kbytes 页数：10 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2162	文件：244.36 Kbytes Page：10 Pages	3V 900MHz LINEAR AMPLIFIER 文件：244.36 Kbytes 页数：10 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2162	文件：300 bytes Page：1 Pages	800 - 960 MHz, 3 V Linear Amplifier Qorvo's RF2162 is a high-power high-efficiency linear amplifier IC targeting 3V handheld systems. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process and has been designed for use as the final RF amplifier in dual-mode 3V CDMA/AMPS hand-held dig • Single 3V Supply\n• 29dBm Linear Output Power\n• 29dB Linear Gain\n• 35% Linear Efficiency\n• Onboard Power Down Mode\n• 800MHz to 960MHz Operation;	Qorvo 威讯联合	Qorvo
RF2162PCBA	文件：218.02 Kbytes Page：10 Pages	3V 900MHZ LINEAR AMPLIFIER Product Description The RF2162 is a high-power, high-efficiency linear amplifier IC targeting 3V handheld systems. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Hetero junction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in dual-mode 3V C 文件：218.02 Kbytes 页数：10 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2162_06	文件：244.36 Kbytes Page：10 Pages	3V 900MHz LINEAR AMPLIFIER 文件：244.36 Kbytes 页数：10 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2162_16	文件：2.22086 Mbytes Page：10 Pages	LINEAR AMPLIFIER 文件：2.22086 Mbytes 页数：10 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2162PCBA	文件：244.36 Kbytes Page：10 Pages	3V 900MHz LINEAR AMPLIFIER 文件：244.36 Kbytes 页数：10 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

技术参数

频率最大值(MHz)：
960
增益(dB)：
29
OP1dB(dBm)：
29
电压(V)：
3.4
电流(mA)：
135
封装类型：
QFN
封装(mm)：
4.0 x 4.0 x 1.0

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更多RF2162供应商更新时间2025-12-1 15:07:00

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