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详细参数

  • 型号：

    RF1S640SM9A

  • 功能描述：

    MOSFET USE 512-FQP19N20C

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市一线半导体有限公司
RF1S640SM9A
INS
24+
31000
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深圳市威尔健半导体有限公司
RF1S640SM9A
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全新原装正品现货,支持订货
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RF1S640SM9A
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RF1S640SM9A
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深圳市河锋鑫科技有限公司
RF1S640SM9A9A
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深圳市安富世纪电子有限公司
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RF1S644SM9A
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RF1S644SM9A
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23+
TO-263
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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