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RF1S630SM

9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as

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INTERSIL

RF1S630SM

9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RF201L2STE25

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RF2052TR13

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RFMD

威讯联合

上传:深圳市旺财半导体有限公司

RF2105

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REMD

详细参数

  • 型号:

    RF1S630SM

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
I
22+
TO-
6000
十年配单,只做原装
询价
HARRIS
2023+
SMD
2673
安罗世纪电子只做原装正品货
询价
24+
N/A
51000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
INTERSIL/FSC
26+
TO-263
28610
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
询价
ATMEL
23+
NA
1186
专做原装正品,假一罚百!
询价
HARRIS
25+
SOT-263
30000
代理全新原装现货,价格优势
询价
INTERSIL
23+
SOT263
8000
只做原装现货
询价
HARRIS
22+
SOT-263
20000
公司只做原装 品质保障
询价
INTERSIL
23+
65480
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
更多RF1S630SM供应商 更新时间2026-4-21 14:02:00