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RF1K49086	文件：195.97 Kbytes Page：7 Pages	3.5A, 30V, Avalanche Rated, Dual N-Channel LittleFET??Enhancement Mode Power MOSFET ThisDualN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusinganadvancedMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itisdesignedforuseinapplicationssuchasswitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RF1K49086	文件：143.17 Kbytes Page：7 Pages	3.5A, 30V, 0.06 Ohm, Dual N-Channel LittleFET??Power MOSFET ThisDualN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusinganadvancedMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itisdesignedforuseinapplicationssuchasswitch	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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3.5A, 30V, Avalanche Rated, Dual N-Channel LittleFET??Enhancement Mode Power MOSFET

ThisDualN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusinganadvancedMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itisdesignedforuseinapplicationssuchasswitch

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

RF1K49086

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3.5A, 30V, 0.06 Ohm, Dual N-Channel LittleFET??Power MOSFET

Intersil

Intersil Corporation

Intersil

详细参数

型号：
RF1K49086
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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