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RF1501NS3S

Fast Recovery Diodes

• Series Ultra Fast Recovery • Applications General rectification • Features 1)Ultra low switching loss 2)High current overload capacity • Construction Silicon epitaxial planer

文件:191.81 Kbytes 页数:1 Pages

ROHM

罗姆

RF1501NS3S

Super Fast Recovery Diode

文件:1.16873 Mbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

RF1501NS3S

Super Fast Recovery Diode

文件:532.14 Kbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

RF1501NS3S_11

Super Fast Recovery Diode

文件:1.16873 Mbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

RF1501NS3STL

Super Fast Recovery Diode

文件:532.14 Kbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

RF1501NS3S

Fast Recovery Diodes

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •功率塑胶型。\n•超低Erec (Reverse recovery energy)型;

ROHM

罗姆

RF1501NS3SFH

Fast Recovery Diodes (支持 AEC-Q101)

・功率塑胶型。\n・超低Erec (Reverse recovery energy)型;

ROHM

罗姆

RF1501NS3STL

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 300V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    TO-263S (D2PAK)

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-263S (D2PAK)

  • Package(JEITA):

    SC-83

  • Package Size[mm]:

    13.3x10.1 (t=4.5)

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Number of terminal:

    3

  • VRM[V]:

    350

  • Reverse Voltage VR[V]:

    300

  • Average Rectified Forward Current IO[A]:

    20.0

  • IFSM[A]:

    100.0

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]:

    1.5

  • IF @ Forward Voltage [A]:

    20.0

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]:

    0.01

  • VR @ Reverse Current [V]:

    300

  • trr(Max.)[ns]:

    30

  • IF @ trr [mA]:

    500

  • IR @ trr [A]:

    1.0

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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更多RF1501NS3S供应商 更新时间2025-10-16 19:12:00