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RF1001T2D中文资料Fast Recovery Diodes数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RF1001T2D

参数属性

RF1001T2D 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

功能描述

Fast Recovery Diodes
DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-22 23:01:00

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RF1001T2D规格书详情

描述 Description

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。

特性 Features

•阴极共通型。
•超低VF、超高速开关、低开关损失品。

简介

RF1001T2D属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的RF1001T2D二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RF1001T2D

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :新设计非推荐

  • 封装

    :TO-220FN (3PIN)

  • 包装数量

    :500

  • 包装形态

    :Bulk

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Package Code

    :ITO-220AB

  • Package Size[mm]

    :10.0x15.0 (t=4.5)

  • Mounting Style

    :Leaded type

  • Number of terminal

    :3

  • VRM[V]

    :200

  • Reverse Voltage VR[V]

    :200

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :10.0

  • IFSM[A]

    :80.0

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]

    :0.93

  • IF @ Forward Voltage [A]

    :5.0

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]

    :0.01

  • VR @ Reverse Current [V]

    :200

  • trr(Max.)[ns]

    :30

  • IF @ trr [mA]

    :500

  • IR @ trr [A]

    :1.0

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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