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RF1001T2D	文件：47.88 Kbytes Page：3 Pages	丝印：10A；Package：TO-220FN；Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar) Features 1) Ultra low VFvery fast recovery 2) Fast recovery 3) Low switching loss 4) Standard package TO-220FN, CPD Applications High frequency rectification 文件：47.88 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RF1001T2D	文件：178.79 Kbytes Page：4 Pages	Fast recovery diodes Features 1) Ultra low VFvery fast recovery 2) Fast recovery 3) Low switching loss 4) Standard package TO-220FN, CPD Applications High frequency rectification 文件：178.79 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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RF1001T2D	文件：1.00192 Mbytes Page：4 Pages	Fast recovery diodes 文件：1.00192 Mbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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RF1001T2DFH	文件：1.16714 Mbytes Page：8 Pages	Fast recovery diodes 文件：1.16714 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RF1001T2DNZ	文件：664.66 Kbytes Page：8 Pages	Super Fast Recovery Diode 文件：664.66 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

产品属性

产品编号：
RF1001T2D
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
150°C（最大）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FN
描述：
DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

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