RES100N03中文资料Switching (30V, 10A) / Transistors数据手册ROHM规格书
RES100N03规格书详情
特性 Features
1) Low Qg.
2) Low on-resistance.
3) Exellent resistance to damage from static electric
Structure
Silicon N-channel
MOS FET
技术参数
- 型号：
RES100N03
- 制造商：
ROHM
- 制造商全称：
Rohm
- 功能描述：
Switching(30V, 10A)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
1810 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
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PMI |
17+ |
10804 |
30000 |
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ST/意法 |
23+ |
SOP-16 |
11200 |
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ON |
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SOT223 |
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NIDECCOPALELECTRONICS |
DIP |
3500 |
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ROHM |
2023+ |
so8 |
50000 |
原装现货 |
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24+ |
5000 |
公司存货 |
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Ohmite |
2010+ |
N/A |
23 |
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ROHM |
23+ |
SOP08 |
15000 |
询价 |
