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RFL2N05	文件：44.98 Kbytes Page：5 Pages	2A,50Vand60V,0.95Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFL2N05	文件：94.94 Kbytes Page：2 Pages	2A,50Vand60V,0.95Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RT2N05M	文件：58.02 Kbytes Page：3 Pages	COMPOSITETRANSISTORWITHRESISTORFORSWITCHINGAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE DESCRIPTION RT2N05Misacompoｓｉｔｅtransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=47KΩ,R2=47KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司	ISAHAYA

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RFL2N05

文件：44.98 Kbytes

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2A,50Vand60V,0.95Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

RFL2N05

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

RT2N05M

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COMPOSITETRANSISTORWITHRESISTORFORSWITCHINGAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE

DESCRIPTION RT2N05Misacompoｓｉｔｅtransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=47KΩ,R2=47KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

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更多REL2N05L供应商更新时间2024-5-30 10:20:00

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