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R35160	文件：119.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●LowForwardVoltage ●GlasstoMetalConstruction ●GlassPassivatedDie ●ExcellentReliability ●VRRMto1600V ●1050AmpsSurgeRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
REF35160	文件：1.15227 Mbytes Page：27 Pages	REF35UltraLow-Power,High-PrecisionVoltageReference	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
REF35160YBHR	文件：2.13168 Mbytes Page：38 Pages	REF35UltraLow-Power,High-PrecisionVoltageReference 1Features •Ultra-lowquiescentcurrent: –650nA(typical) •Initialaccuracy:±0.05(maximum) •Temperaturecoefficient: –12ppm/°C(maximumfor−40°Cto105°C) •Output1/fnoise(0.1Hzto10Hz):3.3ppmP-P •NRpintoreducenoise •ENpintoreduceshutdowncurrentconsumption •	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
REF35160YBHR	文件：1.99757 Mbytes Page：35 Pages	REF35UltraLow-Power,High-PrecisionVoltageReference 1Features •Ultra-lowquiescentcurrent: –650nA(typical) •Initialaccuracy:±0.05(maximum) •Temperaturecoefficient: –12ppm/°C(maximumfor−40°Cto105°C) •Output1/fnoise(0.1Hzto10Hz):3.3ppmP-P •NRpintoreducenoise •ENpintoreduceshutdowncurrentconsumption •	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
REF35160YBHR	文件：2.13007 Mbytes Page：38 Pages	REF35UltraLow-Power,High-PrecisionVoltageReference 1Features •Ultra-lowquiescentcurrent: –650nA(typical) •Initialaccuracy:±0.05(maximum) •Temperaturecoefficient: –12ppm/°C(maximumfor−40°Cto105°C) •Output1/fnoise(0.1Hzto10Hz):3.3ppmP-P •NRpintoreducenoise •ENpintoreduceshutdowncurrentconsumption •	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
S35160	文件：148.29 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●LowForwardVoltage ●GlasstoMetalSealConstruction ●GlassPassivatedDie ●VRRMto1600V ●1050AmpsSurgeRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
S35160	文件：119.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●LowForwardVoltage ●GlasstoMetalConstruction ●GlassPassivatedDie ●ExcellentReliability ●VRRMto1600V ●1050AmpsSurgeRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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