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RE1J002YN

0.9V Drive Nch MOSFET

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •0.9V驱动型 Nch 小信号MOSFET;

ROHM

罗姆

RE1J002YN

Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET

文件:3.80984 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RU1J002YN

Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET

文件:3.80009 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RU1J002YNTL

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.01321 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • 封装:

    EMT3F

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-416FL

  • JEITA Package:

    SC-89

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    50

  • Drain Current ID[A]:

    0.2

  • RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ.):

    3

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.):

    2.2

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.):

    2

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    1.7

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    1.6

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    3

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.15

  • Drive Voltage[V]:

    0.9

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    1.6x1.6 (t=0.85)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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