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RDN100N20中文资料Silicon N-channel MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RDN100N20

功能描述

Silicon N-channel MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-29 13:01:00

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RDN100N20规格书详情

描述 Description

Switching (200V, 10A)

特性 Features

1) Low on-resistance.
2) Low input capacitance.
3) Exellent resistance to damage from static electricity.Application
Switching

技术参数

  • 型号:

    RDN100N20

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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