RDN100N20中文资料Silicon N-channel MOSFET数据手册ROHM规格书
RDN100N20规格书详情
描述 Description
Switching (200V, 10A)
特性 Features
1) Low on-resistance.
2) Low input capacitance.
3) Exellent resistance to damage from static electricity.Application
Switching
技术参数
- 型号:
RDN100N20
- 功能描述:
MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
23+ |
TO-220F |
20128 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-220F |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
TO-220F |
80000 |
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询价 | ||
特价ROHM |
23+ |
220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ROHM |
23+ |
TO-220F |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO220FZIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | ||||
ROHM/罗姆 |
21+ |
TO220 |
1062 |
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