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SIDR5802EP	文件：178.81 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel80V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •VerylowRDS-Qgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDS-QossFOM •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Synchronousrectification •Prima	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR5802DP	文件：244.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •Ultra-lowRDSxQgFOMproduct •OptimizedQgd/Qgsratio •Excellentefficiencyperformancein powersupplies •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SPD5802	文件：148.76 Kbytes Page：2 Pages	LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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