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RD70HVF1C	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD70HVF1C	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD70HVF1	文件：414.43 Kbytes Page：8 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz70W 520MHz,50W DESCRIPTION RD70HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF High power amplifiers applications. FEATURES High power and High Gain: Pout>70W, Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz Pout>50W, Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 60typ.on VHF Band H 文件：414.43 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD901SF-20-15R1-B10K	文件：0 bytes Page：0 Pages	ALPHA阿尔法 DIP	ALPHA阿尔法上传：深圳市乐创天科技有限公司	ALPHA阿尔法
RDA3565S	文件：0 bytes Page：0 Pages	RDA QFN24	RDA 锐迪科微电子上传：深圳市大联智电子有限公司	RDA
RDA5802E	文件：0 bytes Page：0 Pages	RDA QFN	RDA 锐迪科微电子上传：深圳市胜彬电子有限公司	RDA

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Freqency：
175 / 520MHz
Output Power (Min)：
70 / 50W
Package：
Ceramic(Large)
Input Power (Typ)：
4/ 10W
Drain Efficiency (Min)：
50 / 50%
Feature：
built in Gate Protection Diode
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	RD70HVF1C	MITSUBISHI/三菱	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
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