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RD60HUF1	文件：320.72 Kbytes Page：7 Pages	MITSUBISHI RF POWER MOS FET DESCRIPTION RD60HUF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for UHF High power amplifiers applications. FEATURES High power and High Gain: Pout>60W, Gp>7.7dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 55typ.on UHF Band APPLICATION For output stage of high power amplifie 文件：320.72 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD60HUF1	文件：383.61 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W 文件：383.61 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD60HUF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD60HUF1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD60HUF1_06	文件：383.61 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W 文件：383.61 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD60HUF1C	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD60HUF1C	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

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