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RD48F4400P0VBQ	文件：1.36605 Mbytes Page：98 Pages	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 文件：1.36605 Mbytes 页数：98 Pages	Micron 美光	Micron
RD48F4400P0VBQ0	文件：1.60991 Mbytes Page：102 Pages	Intel StrataFlash Embedded Memory Introduction This document provides information about the Intel StrataFlash® Embedded Memory (P30) device and describes its features, operation, and specifications. Product Features ■ High performance — 85/88 ns initial access — 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to data output 文件：1.60991 Mbytes 页数：102 Pages	Intel 英特尔	Intel
RD48F4400P0VBQ0	文件：1.39934 Mbytes Page：99 Pages	Numonyx StrataFlash Embedded Memory 文件：1.39934 Mbytes 页数：99 Pages	NUMONYX	NUMONYX
RD48F4400P0VBQE	文件：1.36605 Mbytes Page：98 Pages	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 文件：1.36605 Mbytes 页数：98 Pages	Micron 美光	Micron
RD48F4400P0VBQEJ	文件：1.35186 Mbytes Page：95 Pages	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 文件：1.35186 Mbytes 页数：95 Pages	Micron 美光	Micron
RD48F4400P0VBQ0B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Parallel NOR Flash	Micron 美光	Micron
RD48F4400P0VBQEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Parallel NOR Flash	Micron 美光	Micron
RD48F4400P0VBQEJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	MLC 512M X16 TFBGA	Micron 美光	Micron
RD48F4400P0VBQE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：88-TFBGA，CSPBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 88SCSP	ELPIDA 尔必达	ELPIDA
RD48F4400P0VBQE4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：88-TFBGA，CSPBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 88SCSP	ELPIDA 尔必达	ELPIDA

技术参数

Density：
512Mb
FBGA Code：
N/A
Op. Temp.：
-40C to +85C
Part Family：
P30
Part Status：
Obsolete
PLP：
No
PLP Start Date：
N/A
Width：
x16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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