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RD45HMF1	文件：381.66 Kbytes Page：7 Pages	RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor900MHz,45W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD45HMF1	文件：321.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconMOSFETPowerTransistor900MHz,45W DESCRIPTION RD45HMF1isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedfor900MHz-bandHighpoweramplifiersapplications. FEATURES •HighpowerandHighGain: Pout>45W,Gp>4.7dB@Vdd=12.5V,f=900MHz •HighEfficiency:50typ. APPLICATION Foroutputstageofhighpoweramplifiersin80	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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RD45HMF1

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RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor900MHz,45W

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Mitsubishi

RD45HMF1

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SiliconMOSFETPowerTransistor900MHz,45W

DESCRIPTION RD45HMF1isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedfor900MHz-bandHighpoweramplifiersapplications. FEATURES •HighpowerandHighGain: Pout>45W,Gp>4.7dB@Vdd=12.5V,f=900MHz •HighEfficiency:50typ. APPLICATION Foroutputstageofhighpoweramplifiersin80

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