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RD3R05BBH	文件：2.79369 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RD3R05BBH；Package：TO-252；Nch 150V 50A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High Power Package(TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free Application Switching 文件：2.79369 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3R05BBH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 150V 50A, TO-252, Power MOSFET RD3R05BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching. • Low on-resistance\n• High power package (TO-252)\n• Pb-free plating;RoHS compliant\n• Halogen Free;	ROHM 罗姆	ROHM
RX3R05BBH	文件：2.82741 Mbytes Page：13 Pages	Nch 150V 50A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO220AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 Rg and UIS tested 5) Halogen free Application Switching 文件：2.82741 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
LRD3R05DP	文件：397.52 Kbytes Page：3 Pages	LRD Open Air Four-terminal Resistors 文件：397.52 Kbytes 页数：3 Pages	TOKEN 德键电子	TOKEN
LRD3R05FP	文件：397.52 Kbytes Page：3 Pages	LRD Open Air Four-terminal Resistors 文件：397.52 Kbytes 页数：3 Pages	TOKEN 德键电子	TOKEN
LRD3R05GP	文件：397.52 Kbytes Page：3 Pages	LRD Open Air Four-terminal Resistors 文件：397.52 Kbytes 页数：3 Pages	TOKEN 德键电子	TOKEN

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
150
Drain Current ID[A]：
50
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.024
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.024
Total gate charge Qg[nC]：
24
Power Dissipation (PD)[W]：
89
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ.)[ns]：
115
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多RD3R05BBH供应商更新时间2026-1-29 13:30:00

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