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RD3P08BBD	文件：2.6702 Mbytes Page：15 Pages	丝印：RD3P08BBD；Package：TO-252；Nch 100V 80A Power MOSFET 文件：2.6702 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P08BBD	文件：299.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 11.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RD3P08BBD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 80A 功率MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • Low on - resistance\n• High power small mold package\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• 100% Rg and UIS tested\n• Halogen free;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P08BBLHRB	文件：2.50809 Mbytes Page：14 Pages	Nch 100V 80A Power MOSFET Features Low on-resistance Pb-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.50809 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
80
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0086
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0097
Total gate charge Qg[nC]：
22.5
Power Dissipation (PD)[W]：
119
Drive Voltage[V]：
6
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)

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更多RD3P08BBD供应商更新时间2025-11-24 14:01:00

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