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RD3P04BBKHRB	文件：2.6203 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3P04BBK；Package：TO-252；Nch 100V 36A Power MOSFET Features Low on-resistance Pd-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.6203 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P04BBKHRB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3P04BBKHRB is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body. • Low on-resistance\n• 100% Avalanche tested\n• AEC-Q101 qualified\n;	ROHM 罗姆	ROHM
ADGGF3P04AC	文件：373.2 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Snap-acting Switches 文件：373.2 Kbytes 页数：6 Pages	ITT	ITT
ADGGF3P04AC	文件：555.32 Kbytes Page：5 Pages	null 文件：555.32 Kbytes 页数：5 Pages	CK-COMPONENTS 力特	CK-COMPONENTS
ADGGF3P04AW	文件：373.2 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Snap-acting Switches 文件：373.2 Kbytes 页数：6 Pages	ITT	ITT

技术参数

封装：
TO-252
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
36
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.029
Total gate charge Qg[nC]：
4.8
Power Dissipation (PD)[W]：
53
Drive Voltage[V]：
4.5
Trr (Typ.)[ns]：
50
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RD3P04BBKHRB供应商更新时间2025-10-10 16:53:00

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