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RD3N01BAT	文件：2.45667 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3N01BAT；Package：TO-252；Pch -80V -10A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100% Rg and UIS tested 5) Halogen free Application Switching Motor drives 文件：2.45667 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3N01BAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET RD3N01BAT is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for Switching and Motor drives applications. • Low on - resistance\n• High power package (TO-252)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% Rg and UIS tested\n• Halogen free;	ROHM 罗姆	ROHM
UT3N01Z	文件：161.14 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS 文件：161.14 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
RD901SF-20-15R1-B10K	文件：0 bytes Page：0 Pages	ALPHA阿尔法 DIP	ALPHA阿尔法上传：深圳市乐创天科技有限公司	ALPHA阿尔法
RDA3565S	文件：0 bytes Page：0 Pages	RDA QFN24	RDA 锐迪科微电子上传：深圳市大联智电子有限公司	RDA

技术参数

封装：
TO-252
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-80
Drain Current ID[A]：
-10
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：
0.126
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.109
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：
0.126
Total gate charge Qg[nC]：
13
Power Dissipation (PD)[W]：
25
Drive Voltage[V]：
-6
Trr (Typ)[ns]：
31
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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