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RD3L080SNFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 8A 车载功率MOSFET RD3L080SNFRA是低导通电阻的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L080SNFRA	文件：2.60855 Mbytes Page：15 Pages	丝印：RD3L080SN；Package：TO-252；Nch 60V 8A Power MOSFET 文件：2.60855 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TS3L080TW	文件：3.14276 Mbytes Page：81 Pages	Tmax Molded Case Circuit Breakers 文件：3.14276 Mbytes 页数：81 Pages	ABB ABB集团	ABB
RD3L080SN	文件：2.79357 Mbytes Page：16 Pages	Nch 60V 8A Power MOSFET 文件：2.79357 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L080SN	文件：309.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.078
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.057
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.078
Total gate charge Qg[nC]：
9.4
Power Dissipation (PD)[W]：
15
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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