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RD3L07BAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -60V -70A 功率MOSFET RD3L07BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L07BAT	文件：2.69868 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3L07BAT；Package：TO-252；Pch -60V -70A Power MOSFET 文件：2.69868 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L07BBG	文件：2.7805 Mbytes Page：13 Pages	Nch 60V 115A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) Pb-free plating ; RoHS compliant 3) Halogen free Application Switching 文件：2.7805 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RX3L07BBG	文件：2.83037 Mbytes Page：13 Pages	Nch 60V 105A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance. 2) High power package (TO-220AB) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching 文件：2.83037 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RX3L07BGN	文件：2.68925 Mbytes Page：14 Pages	Nch 60V 70A Power MOSFET 文件：2.68925 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-60
Drain Current ID[A]：
-70
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0111
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0101
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0111
Total gate charge Qg[nC]：
54
Power Dissipation (PD)[W]：
101
Drive Voltage[V]：
-4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多RD3L07BAT供应商更新时间2025-10-6 14:01:00

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