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RD3H200SNFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 45V 20A 车载功率MOSFET RD3H200SNFRA是非常适用于开关应用的车载级高可靠性功率MOSFET。 • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3H200SNFRA	文件：2.80027 Mbytes Page：15 Pages	丝印：RD3H200SN；Package：TO-252；Nch 45V 20A Power MOSFET 文件：2.80027 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TS3H200TW	文件：3.14276 Mbytes Page：81 Pages	Tmax Molded Case Circuit Breakers 文件：3.14276 Mbytes 页数：81 Pages	ABB ABB集团	ABB
RD3H200SN	文件：2.98662 Mbytes Page：16 Pages	Nch 45V 20A Power MOSFET 文件：2.98662 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3H200SN	文件：309.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
45
Drain Current ID[A]：
20
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.028
Total gate charge Qg[nC]：
12
Power Dissipation (PD)[W]：
20
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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