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RD3G01BAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -40V -15A 功率MOSFET RD3G01BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3G01BAT	文件：2.70197 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3G01BAT；Package：TO-252；Pch -40V -15A Power MOSFET 文件：2.70197 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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HN3G01	文件：210.06 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL JUNCTION TYPE FET SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS AM HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：210.06 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN3G01J	文件：210.06 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL JUNCTION TYPE FET SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS AM HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：210.06 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-40
Drain Current ID[A]：
-15
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.038
Total gate charge Qg[nC]：
9.5
Power Dissipation (PD)[W]：
25
Drive Voltage[V]：
-4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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