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RFH25P10	文件：33.2 Kbytes Page：4 Pages	-25A,-100Vand-80V,0.150Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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RFK25P10	文件：91.48 Kbytes Page：2 Pages	-25A,-100Vand-80V,0.150Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SPR25P10-C	文件：543.32 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
UTT25P10	文件：152.99 Kbytes Page：3 Pages	25A,100VP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UTT25P10L	文件：944.79 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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W25P10-VNI	文件：1.35572 Mbytes Page：35 Pages	1M-BIT,2M-BITAND4M-BITSERIALFLASHMEMORYWITH40MHZSPI GENERALDESCRIPTION TheW25P10(1M-bit),W25P20(2M-bit)andW25P40(4M-bit)SerialFlashmemoriesprovideastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.Theyareidealforcodedownloadapplicationsaswellasstoringvoice,textanddata.Thedevicesoperateonasingle2.	WINBONDWinbond 华邦电子华邦电子股份有限公司	WINBOND
W25P10-VNIG	文件：1.35572 Mbytes Page：35 Pages	1M-BIT,2M-BITAND4M-BITSERIALFLASHMEMORYWITH40MHZSPI GENERALDESCRIPTION TheW25P10(1M-bit),W25P20(2M-bit)andW25P40(4M-bit)SerialFlashmemoriesprovideastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.Theyareidealforcodedownloadapplicationsaswellasstoringvoice,textanddata.Thedevicesoperateonasingle2.	WINBONDWinbond 华邦电子华邦电子股份有限公司	WINBOND

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