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RD20HMF1	文件：362.24 Kbytes Page：7 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor,900MHz,20W 文件：362.24 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD20HMF1	文件：494.29 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,900MHz,20W 文件：494.29 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD20HMF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD20HMF1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD20HMF1_11	文件：494.29 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,900MHz,20W 文件：494.29 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Freqency：
900MHz
Output Power (Min)：
20W
Package：
Ceramic(Small)
Input Power (Typ)：
3000W
Drain Efficiency (Min)：
50%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RD20HMF1供应商更新时间2025-10-9 14:01:00

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