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RD16HHF1	文件：282.63 Kbytes Page：8 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W DESCRIPTION RD16HHF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for HF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>16W, Gp>16dB @Vdd=12.5V,f=30MHz APPLICATION For output stage of high power amplifiers in HF band mobile radio sets. 文件：282.63 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD16HHF1	文件：268.78 Kbytes Page：9 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W 文件：268.78 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD16HHF1	文件：314.53 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W 文件：314.53 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD16HHF1	文件：590.22 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W 文件：590.22 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD16HHF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD16HHF1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD16HHF1_08	文件：314.53 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W 文件：314.53 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD16HHF1_10	文件：268.78 Kbytes Page：9 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W 文件：268.78 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD16HHF1_11	文件：590.22 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W 文件：590.22 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD16HHF1_15	文件：274.32 Kbytes Page：8 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 文件：274.32 Kbytes 页数：8 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Freqency：
30MHz
Output Power (Min)：
16W
Package：
TO-220S
Input Power (Typ)：
0.4W
Drain Efficiency (Min)：
55%
Feature：
built in Gate Protection Diode
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多RD16HHF1供应商更新时间2025-10-13 14:04:00

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