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RD09MUP2	文件：343.73 Kbytes Page：9 Pages	RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor,520MHz,8W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
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RD09MUP2	文件：152.77 Kbytes Page：7 Pages	SiliconMOSFETPowerTransistor,520MHz,8W DESCRIPTION RD09MUP2isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforUHFRFpoweramplifiersapplications. FEATURES •Highpowergain: Pout>8W,Gp>10dB@Vdd=7.2V,f=520MHz •HighEfficiency:50min.(520MHz) •Integratedgateprotectiondiode APPLICATION Foroutputstageofhigh	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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SiliconMOSFETPowerTransistor,520MHz,8W

DESCRIPTION RD09MUP2isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforUHFRFpoweramplifiersapplications. FEATURES •Highpowergain: Pout>8W,Gp>10dB@Vdd=7.2V,f=520MHz •HighEfficiency:50min.(520MHz) •Integratedgateprotectiondiode APPLICATION Foroutputstageofhigh

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