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RD05MMP1	文件：128.44 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 941MHz, 5.5W DESCRIPTION RD05MMP1 is a MOS FET type transistor specifically designed for UHF RF power amplifiers applications. FEATURES • High power gain: Pout>5.5W, Gp>8.9dB@Vdd=7.2V,f=941MHz • High Efficiency: 43min. (941MHz) • No gate protection diode APPLICATION For output stage of high power 文件：128.44 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD05MMP1	文件：147.05 Kbytes Page：8 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 941MHz, 5.5W 文件：147.05 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD05MMP1	文件：349.92 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 941MHz, 5.5W 文件：349.92 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD05MMP1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD05MMP1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD05MMP1_10	文件：147.05 Kbytes Page：8 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 941MHz, 5.5W 文件：147.05 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD05MMP1_11	文件：349.92 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 941MHz, 5.5W 文件：349.92 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

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