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RD0306T分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

RD0306T

参数属性

RD0306T 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA

功能描述

Diffused Junction Silicon Diode Low VF - High-Speed Switching Diode

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

220.31 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

SANYO

中文名称

三洋

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-8 10:46:00

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RD0306T规格书详情

Diffused Junction Silicon Diode

特性 Features

• High breakdown voltage (VRRM=600V).

• Fast reverse recovery time.

• Low noise at the time of reverse recovery.

• Low forward voltage (VF max=1.5V).

• Halogen free compliance.

产品属性

  • 产品编号:

    RD0306T-TL-H

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TP-FA

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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