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RD02MUS2
厂商型号

RD02MUS2

功能描述

RoHS Compliance,Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,520MHz,2W

文件大小

287.12 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企业简称

MITSUBISHI三菱电机

中文名称

三菱电机株式会社官网

原厂标识
MITSUBISHI
数据手册

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更新时间

2025-8-4 8:45:00

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RD02MUS2规格书详情

DESCRIPTION

RD02MUS2 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF power amplifiers applications.

This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection.

FEATURES

• High power gain:

Pout>2W, Gp>16dB

@Vdd=7.2V,f=175MHz, 520MHz

• High Efficiency: 65typ. (175MHz)

• High Efficiency: 65typ. (520MHz)

• Integrated gate protection diode

APPLICATION

For output stage of high power amplifiers

In VHF/UHF band mobile radio sets.

产品属性

  • 型号:

    RD02MUS2

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    RoHS Compliance,Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,520MHz,2W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ARM
2025+
TQFP64
3827
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ON/安森美
22+
TO-251
98543
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