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RD01MUS1	文件：235.83 Kbytes Page：6 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>0.8W, Gp>14dB @Vdd=7.2V,f=520MHz High Efficiency: 65typ. APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile 文件：235.83 Kbytes 页数：6 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS1	文件：203.96 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：203.96 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS1	文件：394.32 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：394.32 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD01MUS1_10	文件：203.96 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：203.96 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS1_11	文件：394.32 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：394.32 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS1_15	文件：239.53 Kbytes Page：6 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 文件：239.53 Kbytes 页数：6 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Drain Voltage Typ：
7.2V
Freqency：
520MHz
Output Power (Min)：
0.8W
Package：
SOT-89
Input Power (Typ)：
30W
Drain Efficiency (Min)：
50%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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