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TXV0106	文件：1.90575 Mbytes Page：30 Pages	TXV01066-BitFixDirectionLowSkew,Low-JitterVoltageTranslatororBuffer 1Features •Supportsupto500Mbpsfor1.65Vto3.6V •MeetsRGMII2.0timingspecifications: –	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TXV0106BQBR	文件：1.90575 Mbytes Page：30 Pages	TXV01066-BitFixDirectionLowSkew,Low-JitterVoltageTranslatororBuffer 1Features •Supportsupto500Mbpsfor1.65Vto3.6V •MeetsRGMII2.0timingspecifications: –	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TZ0106A	文件：243.45 Kbytes Page：5 Pages	SMD4.0x2.513.0MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage ExcellentAging GoodFrequencyPerturbationandStabilityoverTemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount4.0mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices, especiallyforaneedofultra	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VN0106	文件：476.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN0106	文件：640.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicongatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceandpos	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN0106ND	文件：68.09 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancement-Mode N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VN0106NE	文件：38.06 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETsQuadArray? N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETsQuadArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106	文件：46.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106	文件：759.88 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheVP0106low-thresholdEnhancement-mode (normally-off)transistorsuseaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimped	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

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产品属性

产品编号：
RD0106T-H
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A TP

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更多RD0106T-H供应商更新时间2025-7-29 15:51:00

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