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RCX200N20	文件：707.42 Kbytes Page：14 Pages	Nch 200V 20A Power MOSFET 文件：707.42 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RCX200N20	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RCX200N20	文件：998.41 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：998.41 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RCX200N20	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
500
最小独立包装数量：
500
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
200
Drain Current ID[A]：
20
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.1
Total gate charge Qg[nC]：
40
Power Dissipation (PD)[W]：
40
Drive Voltage[V]：
10
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

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