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RCX160N20

10V Drive Nch MOSFET

文件:1.20213 Mbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

RCX160N20

丝印:D2PAK;Package:TO-263;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:299.06 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RCX160N20

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.01257 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

RCX160N20

10V Drive Nch MOSFET

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-220FM

  • 包装数量:

    500

  • 最小独立包装数量:

    500

  • 包装形态:

    Bulk

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-220FM

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    200

  • Drain Current ID[A]:

    16

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.135

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.135

  • Total gate charge Qg[nC]:

    26

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    40

  • Drive Voltage[V]:

    10

  • Mounting Style:

    Leaded type

  • Bare Die Part Number:

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    10.1x15.1 (t=4.8)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RCX160N20供应商 更新时间2025-11-30 14:13:00