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RCVV4220M1GDB5002U	文件：300 bytes Page：1 Pages	车载 (车身系・情报系)用途纵型贴片铝电解电容器[VV4 85℃，4.5mm L 高度电容器;	TaiyoYuden 太阳诱电	TaiyoYuden
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技术参数

静电容量：
22 uF ± 20 %
额定电压：
35 V
tanδ (max)：
0.14
使用温度范围：
-40 to +85 ℃
Leakage current (min)：
7.7 uA at 2 min
Rated Ripple (max)：
52 mArms at 120 Hz / 85 ℃
Impedance ratio___[-25℃/+20℃]：
2
Impedance ratio___[-40℃/+20℃]：
3
ESR (max)：
11 Ω atHz /℃
Endurance___[Test time]：
2000 hr at 85 ℃
Endurance___[Capacitance change]：
Within ±20% of initial value
Endurance___[tanδchange]：
300% or less of initial specified value
尺寸 (φD)：
φ6.3 ±0.5 mm
尺寸 (L)：
4.5 +0.1/-0.2 mm
尺寸 (P (F))：
Typ 2 mm
尺寸 (C (d))：
Typ 2.7 mm
形状：
Vertical Chip(SMD)
类别：
Low Profile
RoHS Compliance (10 subst.)：
Yes
REACH Compliance (240 subst.)：
Yes
适用焊接方法：
Reflow
LeadForming/Taping：
Taping Embossed

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RCVV4220M1GDB5002U供应商更新时间2025-11-17 10:02:00

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