RCR20P10SR数据表ic资料供应代理NSC-114ic电子网

首页 >RCR20P10SR>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
CEB20P10	文件：642.53 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-20A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED20P10	文件：640.03 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-16A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED20P10	文件：379.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-16A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP20P10	文件：380.87 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-20A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP20P10	文件：642.53 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-20A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU20P10	文件：640.03 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-16A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU20P10	文件：379.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-16A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
MCU20P10	文件：396.54 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MTH20P10	文件：293.19 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM20P10	文件：285.57 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM20P10	文件：87.63 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM20P10	文件：155.47 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
NCE20P10J	文件：259.45 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE20P10Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-10A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
PAL20P10	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL20P10A	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL20P10AC	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL20P10AJ	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL20P10AJC	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL20P10AJM	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL20P10AM	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

12 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市惊羽科技有限公司	RCR20P10SR	RCR	24+25+/26+27+	TO-252-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市一线半导体有限公司	RCR2302	RCR	0723+	SOT23	85000		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	RCR2309	CLXD德利	23+	SOT89	6500	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市鹏和科技有限公司	RCR2521SN	RCR	24+	SOT89-6	5000	全现原装公司现货	询价
深圳兆威电子有限公司	RCR2521SN	RCR	22+	SOT89-6	17974	原装正品现货,可开13点税	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	RCR2521SN	RCR	22+	SOT-89	28600	只做原装正品现货假一赔十一级代理	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	RCR2521SN	RCR	21+	SOT-89	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	RCR2521SN	RCR	23+	SOT-89	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	RCR2521SN	RCR	2022	SOT-89	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	RCR2521SN	RCR	21+	SOT-89	6000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多RCR20P10SR供应商更新时间2024-6-15 16:16:00

相关规格书

相关库存