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RCJ120N25	文件：726.63 Kbytes Page：14 Pages	Nch 250V 12A Power MOSFET 文件：726.63 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RCJ120N25	文件：299 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RCJ120N25	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RCX120N25	文件：295.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RCX120N25	文件：1.17793 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：1.17793 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RDN120N25	文件：89.51 Kbytes Page：5 Pages	Switching (250V, 12A) Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. Application Switching 文件：89.51 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
250
Drain Current ID[A]：
12
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.18
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.18
Total gate charge Qg[nC]：
35
Power Dissipation (PD)[W]：
40
Drive Voltage[V]：
10
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

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