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RCJ120N20	文件：308.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Fast Switching Speed ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switch Mode Power Supply (SMPS) ·Uninterruptible Power Supply (UPS) 文件：308.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RCJ120N20	文件：723.29 Kbytes Page：14 Pages	Nch 200V 12A Power MOSFET 文件：723.29 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RCJ120N20	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RCX120N20	文件：1.18909 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：1.18909 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RCX120N20	文件：296.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SDD120N20B	文件：309.5 Kbytes Page：4 Pages	Diode-Diode Modules 文件：309.5 Kbytes 页数：4 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
200
Drain Current ID[A]：
12
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.25
Total gate charge Qg[nC]：
15
Power Dissipation (PD)[W]：
40
Drive Voltage[V]：
10
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

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